所属分类：行业新闻阅读次数：185 发布时间：2023-08-25

在“SMC Korea 2023”会议上，三星电子发言人表示，将在2027年前实现半导体工艺气体90%的氟碳（CF）气体替代为环境友好型材料。该公司还加入了可持续半导体发展的生态系统，将对环境的影响降到最低。

三星电子正在推动可持续发展政策，以确保没有材料用一次就被扔掉，并开发替代的环境友好型材料。三星电子将用环境友好型材料替代前五种氟碳气体：C4F8、CHF3、CF4、C4F6和SF6。这些都是具有高全球升温潜能值的气体，在半导体工艺中占绝对比例。

三星电子已经完成了五种氟碳气体中三种气体替代品的开发。两种已进入大规模生产，一种正在进行大规模生产的验证。计划在2027年前开发出其余两种气体的替代品，并将其用于半导体的大规模生产。

三星还加入IMEC的可持续半导体技术和系统（SSTS）计划，通过合作创建一个可持续的半导体生态系统和开发计算碳排放技术，实现保护环境和可持续发展的最终目标。关键是跟踪各种半导体工艺的碳排放，并确定减少碳排放的方法。

PFAS特种气体在半导体中的应用

全球电子特种气体市场中，含氟特种气体约占总量的30%左右，是电子特种气体的重要组成部分，在半导体领域主要用于制作清洗剂、蚀刻剂,也可用于制作掺杂剂、成膜材料等。

欧洲五国此前发布的报告则预测电子行业PFAS的使用量一年会增加10%，其中主芯片需求大增所致。如此大的增量，面对即将出台的新禁令，众多芯片厂家可以说是挨了当头一棒。

存储器件领域，3D NAND、3D DRAM制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数，层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比，特种气体作为刻蚀剂需求增加。

逻辑器件刻蚀步骤数随制程演进而增长。在28nm制程工艺中，刻蚀步骤仅40步，但到10nm制程工艺时，刻蚀设备工艺步骤已提升一倍多至115步，5nm需要160步。随着芯片制造工艺不断改进，刻蚀工艺步骤数将不断提升。

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