默克加速半导体蚀刻工艺低GWP气体的开发

所属分类：行业新闻阅读次数：109 发布时间：2023-10-25

默克全球业务经理Ki-Hyun Kim于10月18日发表了题为 "低GWP气体开发创新"的演讲。

随着技术的发展，人们对半导体的需求不断增加，半导体的生产量也随之增加，从而导致越来越多的能源消耗和温室气体排放。由于全球气候变化，减少温室气体已成为当务之急，半导体行业正努力通过最大限度地减少产品生产过程中的碳排放来减少温室气体。

在半导体行业的直接温室气体排放中，半导体生产过程中产生的工艺气体占80%，在各种工艺气体中，氟化合物（F-gas）占温室气体排放的绝大部分。

HFCs（氢氟碳化合物）、PFCs（全氟化碳）、SF6（六氟化硫）和NF₃（三氟化氮）等含氟气体被用于半导体制造过程中的蚀刻、沉积和清洗工序。但是其全球变暖潜能值可达几千甚至上万，被称为超级温室气体。含氟温室气体的全球升温潜能值远远高于二氧化碳。按照惯例，以二氧化碳的GWP值为1,三氟化氮约为17400，六氟化硫约为24300，氢氟碳化物约为771-14600，全氟化碳约为7380-12400。

减少半导体行业的温室气体排放是最复杂、最困难的挑战之一。要满足日益增长的半导体需求，实现碳中和的目标，需要新的绿色技术创新和新的材料解决方案。为此，必须探索和开发新的材料研究实验、新的设备设计和设施系统，并进行安全测试。

工艺气体的材料创新与一般产品开发并无太大区别，但由于蚀刻气体的性质，安全和大规模生产更为重要。无论技术有多好，企业都需要能够经济高效地进行大规模生产。

欧盟最近规定，最早在2026年禁止使用碳（C）和氟（F）结合的全氟化碳。为此，默克公司正在加快研发工作，重点开发既能减少温室气体排放，又能提高半导体产量的气体。

"全球业务经理Kim Ki-hyun表示："为了开发一种性能与现有气体相同但GWP更低的材料，需要从规划、测试到评估进行全面审查。"由于一种气体不仅用于一种工艺，而且会在多种工艺中混合使用，因此需要考虑很多因素，如稳定性、可扩展性、性能以及与客户技术的混合等，因此需要花费大量的时间和金钱。"

“在发现新的混合物时，减少试错以节省时间和金钱非常重要。"默克拥有开发新材料全过程所需的能力，通过使用先进的量子化学、光谱模拟和各种技术，我们为开发新材料、验证新产品的性能和安全性奠定了基础，从而缩短了开发周期。”

声明：此条信息仅供参考，据此操作责任自负

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