三氟化氮产能冲刺2万吨，南大光电打造全球最大服务商！

所属分类：行业新闻阅读次数：109 发布时间：2023-10-27

2023年10月23日，南大光电（乌兰察布）有限公司年产8400吨高纯电子级三氟化氮项目成功备案。据悉，总投资60000万元，主要建设电解厂房、后处理厂房等生产装置及其他相应设施、工程。计划建设起止年限是2024年5月到2028年12月。

2021年12月10日，南大光电公告投资建设年产7200吨三氟化氮项目。据悉，该项目自建设期第2年（即2022年）起已经逐步投产。

据悉，SKM目前三氟化氮产能为13500吨，占据了全球三氟化氮40%以上的份额，产量和销量目前均居全球第一。

南大光电内蒙项目加上飞源气体产能，其电子级三氟化氮合计年产能将接近2万吨。一举超过SKM成为、成为全球最大的电子级三氟化氮供应商，提升客户服务。

三氟化氮主要用于去除LCD显示器、一些薄膜太阳能电池和其他微电子等半导体器件制造过程中的硅和硅化合物。在这些应用中，NF3最初在等离子体内分解。由此产生的氟自由基是攻击多晶硅、氮化硅和氧化硅的活性物质。它还可用于去除硅化钨，钨和其他特定金属。除了在设备的制造中充当蚀刻剂外，NF3也广泛用于清洁PECVD腔室。

半导体行业作为三氟化氮产品最大下游，行业的不景气拖累三氟化氮出口贸易量，2023年1-9月中国三氟化氮出口量在1875吨，同比下降23.95%。

展望2024年芯片行业，Tech Insights预测增长10%，SC-IQ预测增长11%，WSTS 预测增长11.8%，而Gartner最为乐观，预测增长18.5%。据最新预测数据，2024年芯片行业将出现10%-18.5%之间的两位数百分比增长。

综合来看，受益于下游集成电路制造工厂产能扩张、集成电路制程技术节点微缩、3D NAND多层技术的发展，芯片的工艺尺寸越来越小，堆叠层数增加，集成电路制造中进行刻蚀、沉积和清洗的步骤增加，高纯三氟化氮的需求将快速增长。

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